Powermodule
für E-Traction-Units
Das SiC-MOSFET-Halbbrücken-Powermodul von Rheinmetall ist das Herzstück der fortschrittlichen E-Traktions-Wechselrichtertechnologie, entwickelt für highend Elektrofahrzeugantriebe. Das Powermodul ist skalierbar und kann an fahrzeugspezifische Spannungs- und Leistungsanforderungen angepasst werden. Es stehen Konfigurationen für sowohl 750V- als auch 1.200V-Systeme zur Verfügung. Das agnostische Design des MOSFET gewährleistet Anpassungsfähigkeit und Kompatibilität mit einer breiten Palette von Elektrofahrzeugen und ist perfekt für unterschiedliche Bedarfe des Elektromobilitäts-Markts einsetzbar.
- Dual Sided Direct Cooling (DSDC) steht für eine sehr effiziente Transistorkühlung
- Optimiertes Design mit parasitärer Impedanz ermöglicht ultraschnelles Schalten mit reduzierten Verlusten
- Durch verbessertes thermisches Budget kleinere SiC-MOSFET-Chipfläche bei gleicher Stromstärke: Kosteneinsparungen
Spannungsfestigkeit des SiC-MOSFETs | VDS | 750 | 1.200 |
---|---|---|---|
Maximaler AC-Phasenstrom | ARMS 1) | 600 | 450 |
Normalisierter Wärmewiderstand | k*cm²/W2) | 10 | 10 |
Induktivität der Leistungsschleife | nH | 5 | 5 |
1) +65 °C 50/50 WEG-Kühlmittel mit 3,33 LPM pro Leistungsmodul, 10 kHz Schaltfrequenz FSW, 13 V/ns dv/dt
2) RthJC normalisiert auf die effektive SiC-MOSFET-Transistorfläche pro Schalter